Nowe tranzystory MOSFET Toshiba 650 V i 1200 V z węglika krzemu (SiC) podnoszą wydajność i oszczędzają miejsce w zastosowaniach przemysłowych
Farnell ogłosił dostępność trzeciej generacji tranzystorów MOSFET Toshiba 650 V i 1200 V z węglika krzemu (SiC). Projektanci mogą zwiększyć efektywność, zmniejszyć rozmiary w zastosowaniach przemysłowych i zapewnić poprawę nawet o 80% w zakresie strat statycznych i dynamicznych. Te wysoce uniwersalne produkty nadają się do wykorzystania w wielu wymagających zastosowaniach, takich jak zasilacze impulsowe (SMPS) i zasilacze awaryjne (UPS) dla serwerów, centrów danych oraz sprzętu komunikacyjnego. Inne zastosowania obejmują energię odnawialną, np. falowniki fotowoltaiczne (PV) i dwukierunkowe przetwornice DC–DC używane do ładowania pojazdów elektrycznych (EV).
Nowe tranzystory MOSFET SiC 650 V (TW015N65C, TW027N65C, TW048N65C, TW083N65C i TW107N65C) mają następujące cechy:
- Struktury komórek są oparte na strukturach stosowanych w urządzeniach drugiej generacji firmy Toshiba, co pozwala zoptymalizować zaawansowany proces SiC trzeciej generacji.
- Znacznie ograniczone straty mocy umożliwiają tworzenie rozwiązań o większej gęstości mocy i niższych kosztach eksploatacji. Kluczowa wartość (FoM), obliczana jako iloczyn rezystancji dren-źródło (RDS(on)) oraz ładunku bramka-dren (Qg), reprezentująca zarówno straty statyczne, jak i dynamiczne, poprawiła się o około 80%.
- Nowe urządzenia wyposażone są w innowacyjną wbudowaną diodę Schottky’ego (SBD) sprawdzoną w poprzedniej generacji, która zwiększa niezawodność tranzystorów MOSFET SiC poprzez przezwyciężenie wewnętrznych efektów pasożytniczych w celu utrzymania stabilnej wartości RDS(on).
Nowe tranzystory MOSFET SiC trzeciej generacji 1200 V (TW015N120C, TW030N120C, TW045N120C, TW060N120C i TW140N120C) są umieszczone w standardowej obudowie TO-247 i charakteryzują się następującymi właściwościami:
- Możliwość obsługi prądów (ID) do 100 A i wartości RDS(on) do 15 mΩ.
- Duży zakres maksymalnego napięcia bramka-źródło, od -10 V do 25 V, co zwiększa elastyczność działania w różnych projektach układów i warunkach aplikacji.
- Napięcie progowe bramki (VGS(th)) w zakresie od 3,0 V do 5,0 V zapewnia przewidywalną wydajność przełączania z minimalnym dryftem i pozwala na proste zaprojektowanie sterownika bramki.
- Urządzenia mają wartości RDS(on) od 15 mΩ do 140 mΩ (typowo, przy VGS = 18 V) i prąd drenu od 20 A do 100 A (DC przy TC=25°C).
– Jesteśmy zaangażowani w dostarczanie naszym klientom najnowszych produktów półprzewodnikowych, a tranzystory MOSFET SiC trzeciej generacji, które są już dostępne w magazynie, stanowią znaczący krok naprzód w technologii jednego ze światowych liderów i największych inwestorów w zasilanie dyskretne – mówi Adrian Cotterill, Product Segment Leader, Transistors & WBG z Farnell.
Nowe tranzystory MOSFET trzeciej generacji od Toshiba z węglika krzemu są już dostępne w magazynie Farnell w regionie EMEA.
