Tranzystory MOSFET trzeciej generacji z węglika krzemu firmy Toshiba
Nowe tranzystory MOSFET Toshiba 650 V i 1200 V z węglika krzemu (SiC) podnoszą wydajność i oszczędzają miejsce w zastosowaniach przemysłowych Nowe tranzystory MOSFET Toshiba 650 V i 1200 V z węglika krzemu (SiC) podnoszą wydajność i oszczędzają miejsce w zastosowaniach przemysłowych Farnell ogłosił dostępność trzeciej generacji tranzystorów MOSFET Toshiba 650 V i 1200 V z węglika krzemu (SiC). […]
Farnell po raz pierwszy weźmie udział w targach TEK.day
Partnerzy Weller i Rohde & Schwartz dołączą do Farnell podczas jednodniowego wydarzenia, które odbędzie się we Wrocławiu 30 marca 2023 Partnerzy Weller i Rohde & Schwartz dołączą do Farnell podczas jednodniowego wydarzenia, które odbędzie się we Wrocławiu 30 marca 2023 r. Farnell po raz pierwszy bierze udział w jednodniowym wydarzeniu TEK.day wraz z partnerami Weller […]