Elementy Półprzewodnikowe Z Węglika Krzemu

24 marca, 2023

Tranzystory MOSFET trzeciej generacji z węglika krzemu firmy Toshiba

Nowe tranzystory MOSFET Toshiba 650 V i 1200 V z węglika krzemu (SiC) podnoszą wydajność i oszczędzają miejsce w zastosowaniach...

4 września, 2013

Badania właściwości tranzystora Z-FET MOSFET wykonanego z węglika krzemu CMF20120D firmy CREE

W artykule przedstawiono wyniki badań tranzystora CMF20120D wykonanego z węglika krzemu w standardowym teście dwupulsowym. Na podstawie zarejestrowanych pomiarów metodą...

12 sierpnia, 2011

Wpływ doboru elementów półprzewodnikowych na charakterystyki przetwornicy buck

W pracy zaprezentowano wyniki badań symulacyjnych i pomiarowych przetwornicy buck zawierającej elementy półprzewodnikowe wykonane z krzemu oraz z węglika krzemu....

Reklama