Japońscy naukowcy stworzyli diodę Schottky’ego wykorzystując do tego diament jako materiał półprzewodnikowy. Podczas mierzenia charakterystyki temperaturowej SBD (ang. Schottky Barrier Diode) zauważyli, że jej charakterystyka prądowa nie wykazuje zależności od temperatury z zakresu 25-200°C.
Odkrycie zostało ogłoszone przez Uniwersytet Osakijski i japoński National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) na 71. jesiennym spotkaniu Japan Society of Applied Physics w Japonii.
Uniwersytet i AIST stworzyli SBD przez połączenie diamentowego półprzewodnika i diody Schottky’ego używając rutenu (Ru), po czym sprawdzali wydajność przełączania. Jako wynik powstała dioda SBD zdolna do szybkich przełączeń w czasie nawet 0,01μs (10ns), co odpowiada częstotliwości 100GHz.
Wydajność przełączania nie zmieniła się podczas manipulowania temperaturą w zakresie 25-200°C, co dało naukowcom podstawy do stwierdzenia, że diody Schottky’ego używające diamentu jako materiału półprzewodnikowego mogą być potencjalnie instalowane w systemach konwersji energii, które nie wymagałyby chłodzenia.
Niektóre chipy półprzewodnikowe SiC (wykonane z węgliku krzemu) pracują w temperaturach znacznie wyższych niż 200°C, ale ważnym jest wtedy upewnić się aby temperatura nie miała wpływu na połączenia elementów z reguły wykonane z cyny.
techon.nikkeibp.co.jp
