Partnerzy:

Reklama

Sic

Tranzystor CREE CMF20120D wykonanego z węglika krzemu
Badania właściwości tranzystora Z-FET MOSFET wykonanego z węglika krzemu CMF20120D firmy CREE
W artykule przedstawiono wyniki badań tranzystora CMF20120D wykonanego z węglika krzemu w standardowym teście dwupulsowym. Na podstawie zarejestrowanych pomiarów metodą...
thumb_img_2943.jpg
Diamentowa SBD (dioda Schottky’ego) nie potrzebuje chłodzenia

Japońscy naukowcy stworzyli diodę Schottky’ego wykorzystując do tego diament jako materiał półprzewodnikowy. Podczas mierzenia charakterystyki temperaturowej SBD (ang. Schottky Barrier Diode) zauważyli, że jej...

thumb_img_1213.jpg
Grafenowe tranzystory obiecują prędkości 100GHz

Naukowcy pracują na granicy możliwości technologicznych (prędkość i skala) tranzystorów krzemowych co zmusza ich do poszukiwania zamienników nowej generacji. Najbardziej...

Reklama

OSTATNIE
KATEGORIE