Przełamywanie barier napięciowych: Wdrażanie kompaktowych i wydajnych projektów z wykorzystaniem elementów dyskretnych wysokiego napięcia
Mouser Electronics, Inc., autoryzowany globalny dystrybutor najnowszych półprzewodników i podzespołów elektronicznych, nawiązał współpracę z firmą Infineon Technologies, aby zapewnić społeczności inżynierów nowe webinarium zatytułowane „Breaking Voltage Barriers: Enabling Compact, Efficient Designs with High Voltage Discretes”. To bezpłatne webinarium odbędzie się 24 czerwca 2025 r. o godzinie 17:00 czasu środkowoeuropejskiego.
Elektronika mocy przechodzi szybką transformację, napędzaną zapotrzebowaniem na wyższą sprawność, lepszą charakterystykę termiczną i bardziej kompaktowe systemy. Wraz z przechodzeniem aplikacji w kierunku wyższych klas napięciowych, projektanci coraz częściej poszukują technologii, które mogą zapewnić lepszą wydajność bez zwiększania złożoności.
Webinarium przedstawi, w jaki sposób te komponenty wysokiego napięcia umożliwiają nowy poziom elastyczności projektowania, a jednocześnie wspierają rozwój bardziej wydajnych i kompaktowych systemów. Uczestnicy dowiedzą się o ewoluujących trendach technologicznych kształtujących rynek energetyczny, a także o narzędziach i zasobach dostępnych w firmie Infineon Technologies, które mają na celu uproszczenie wdrażania technologii SiC i skrócenie czasu rozwoju.
Uczestnicząc w tym webinarium, uczestnicy dowiedzą się więcej na temat:
● Jak układy SiC 1200 V i 2000 V umożliwiają tworzenie kompaktowych i wydajnych rozwiązań w szerokim zakresie zastosowań.
● Korzyści płynące z zastosowania elementów dyskretnych SiC w celu osiągnięcia sprawności cieplnej i elastyczności projektowania.
● Jak narzędzia, zasoby i technologia SiC firmy Infineon upraszczają proces projektowania, umożliwiając szybsze wprowadzenie produktu na rynek. Innowacyjne rozwiązania zasilania firmy Infineon obejmują:
- Tranzystory MOSFET CoolSiC™ 1200 V G2 z węglika krzemu, które charakteryzują się wydajną i niezawodną pracą dzięki wszechstronnym opcjom obudowy, dostosowanym do różnych potrzeb aplikacji.
- Tranzystory MOSFET CoolSiC™ 1700 V z węglika krzemu Trench, które charakteryzują się rewolucyjnym materiałem z węglika krzemu, zoptymalizowanym pod kątem topologii fly-back w aplikacjach elektroenergetycznych wysokiego napięcia.
- Tranzystory MOSFET CoolSiC™ 2000 V, które zapewniają zwiększoną gęstość mocy bez utraty niezawodności systemu, nawet w wymagających warunkach wysokiego napięcia i częstotliwości przełączania.
Webinarium poprowadzi Mark Patrick, dyrektor ds. treści technicznych w Mouser Electronics w regionie EMEA, a gościem specjalnym będzie Syeda Qurat ul ain Akbar, starszy inżynier ds. aplikacji produktowych w Infineon Technologies AG.
Aby obejrzeć webinarium na żywo lub otrzymać nagranie, gdy będzie dostępne, zarejestruj się na stronie https://emea.info.mouser.com/webinar-infineon-highvoltage-emea/
Aby dowiedzieć się więcej o Infineon Technologies, odwiedź stronę https://eu.mouser.com/manufacturer/infineon/
