Samsung wprowadza nową, wydajną pamięć NAND – 8 gigabitową kość OneNAND™ produkowaną w technologii 30nm

Samsung Electronics, czołowy producent zaawansowanych półprzewodników, ogłosił, że wykonywane w procesie technologicznym 30nm kości pamięci OneNAND™ o pojemności 8 Gb są już dostępne. Najnowsze układy OneNAND pracujące w oparciu o technologię SLC NAND flash są odpowiedzią na rosnące zapotrzebowanie na pamięci o większej gęstości dla smartfonów. Obecny na rynku trend związany jest z popularnością różnorodnych aplikacji mobilnych oraz dostępnością dużej liczby programów multimedialnych. Wysokiej gęstości pamięć OneNAND jest obecnie w fazie testów i trafi do masowej produkcji już pod koniec maja.

„Cieszymy się, że nasz zaawansowany układ pamięci ma szerokie zastosowanie w smartfonach”, powiedział Sejin Kim, wiceprezes dywizji Flash memory planning/enabling w Samsung Electronics. „Dostępność kości 8 Gb OneNAND znacząco wzbogaca nasze portfolio zaawansowanych rozwiązań w dziedzinie pamięci mobilnych”.

„Nasz najnowszy układ OneNAND jest nie tylko odpowiedzią na zapotrzebowanie na pamięć o wyższej gęstości, ale również umożliwi opracowanie nowych funkcji oraz poszerzy grono naszych klientów, zwiększając tym samym zasięg rynku OneNAND”.

8-bitowy układ OneNAND gwarantuje niezawodność technologii SLC oraz sprawdzoną wydajność, dzięki której dane mogą być odczytywane z prędkością 70 megabajtów na sekundę (MB/s), czyli ponad 4 razy szybciej w porównaniu do tradycyjnego układu NAND, osiągającego 17 MB/s. Właśnie te cechy w połączeniu z niskim poborem mocy sprawiają, że jest to atrakcyjne rozwiązanie umożliwiające przetwarzanie rosnącej ilości danych w przypadku ekranów dotykowych i innych opcji o wysokiej rozdzielczości dostępnych w smartfonach. Dodatkowo, zastosowanie zaawansowanego procesu technologicznego 30nm pozwoliło firmie Samsung zwiększyć wydajność o 40% w stosunku do produkcji w technologii 40 nm.

Od 2004 Samsung stopniowo doskonalił pamięć OneNAND, aby stała się wydajnym układem, który może być wykorzystywany do obsługi aplikacji mobilnych bez konieczności instalacji oddzielnego oprogramowania.

Układ OneNAND może być używany jako pamięć buforowa nie tylko do zapisu danych, dzięki szybszej niż w przypadku NAND prędkości zapisu, ale również jako bufor do szybkich, wydajnych operacji odczytu danych za sprawą interfejsu NOR flash.

Według firmy iSuppli, zajmującej się badaniami rynku popyt na pamięć typu NAND flash dla telefonów komórkowych może sięgnąć 1,1 miliarda sztuk (odpowiednik 1 GB pojemności) w 2010 roku. W 2011 oczekuje się ponad podwójnego wzrostu do 2,5 miliarda sztuk. Ponadto, na postawie analiz strategicznych firma przewiduje, że popyt na smartfony wyniesie 285 milionów urządzeń w 2010 roku, a w 2013 wzrośnie do 580 milionów sztuk.

www.samsung.com