Szczegóły wynalazku zostaną omówione podczas 22nd International Microprocesses and Nanotechnology Conference, która odbędzie się 19 listopada w Sapporo.
Obecnie stosowane fotorezysty, korzystające z polimerów, nie są odpowiednie do wykorzystania w technologiach poniżej 20 nanometrów. Spowodowane jest to ich rozdzielczością.
Prace nad urządzeniami litograficznymi zdolnymi do produkcji układów scalonych, których wielkość bramki nie przekracza 20 nanometrów są bardzo zaawansowane. Jednak dotychczas brakowało odpowiedniego fotorezystu.
Toshiba opracowała przydatny fotorezyst wykorzystując do jego produkcji odmianę materiału zwanego truxene. Dzięki niemu już wyprodukowano testowy wzorzec o liniach grubości 22 nanometrów. Badania wykazały też, że jest on też o 40% bardziej trwały od powszechnie używanego polihydroksystyrenu.
Badania Toshiby dają nadzieję, że założenia zawarte w International Technology Roadmap for Semiconductors, zostaną zrealizowane. Zgodnie z nimi w roku 2013 rozpocznie się masowa produkcja układów w technologii 20 nanometrów.
