Partnerzy:

Reklama

Laserowe Źródło Jonów

Laserowe źródło jonów (Laser Ion Source, LIS) z Instytutu Fizyki Plazmy i Laserowej Mikrosyntezy w Warszawie może służyć do wytwarzania półprzewodników nowej generacji: krzemionki zawierającej nanokryształy germanu. Na zdjęciu dr hab. Jerzy Wołowski z IFPiLM przy źródle LIS.
Półprzewodniki nowej generacji powstają w warszawskim IFPiLM

Do implantowania jonów, czyli ich „wbijania” w powierzchnię materiału, zwykle stosuje się konwencjonalne akceleratory. Laserowe źródła jonów są prostsze, tańsze i...

Reklama

OSTATNIE
KATEGORIE