Mouser Electronics, Inc., wiodący w branży dystrybutor wprowadzający nowe produkty do obrotu (NPI), oferujący najszerszy wybór półprzewodników i komponentów elektronicznych, z dumą informuje, że jest teraz dystrybutorem ferroelektrycznych pamięci o dostępie swobodnym (FRAM) i rezystywnych pamięci o dostępie swobodnym (ReRAM) o dużej gęstości firmy Fujitsu Semiconductor Memory Solution.
Oferowane przez Fujitsu układy FRAM to pamięci nieulotne nowej generacji, które spełniają zapotrzebowanie inżynierów na większą wytrzymałość na operacje odczytu i zapisu, szybszy zapis i mniejsze zużycie energii w porównaniu z pamięciami EEPROM. Pamięci Fujitsu FRAM są dostępne w ofercie firmy Mouser zarówno z interfejsami szeregowymi (SPI oraz I²C), jak i równoległymi, w szerokim asortymencie kompaktowych obudów o dużej gęstości upakowania. Dostępne są opcje pamięci o pojemnościach od 4 kb do 8 Mb. Fujitsu to pierwsza firma, która rozpoczęła masową produkcję pamięci FRAM, w roku 1999. Produkty FRAM tej firmy można znaleźć w wielu kluczowych zastosowaniach, w tym motoryzacji, przemyśle, medycynie i produktach konsumenckich.
Wyposażone w interfejs SPI pamięci Fujitsu ReRAM pracują w szerokim zakresie napięć zasilania od 1,6 V do 3,6 V. Kompatybilne z EEPROM układy charakteryzują się bardzo niskim poborem prądu: zaledwie 0,15 mA w stanie odczytu i 1,5 mA w stanie zapisu, co w połączeniu z pojemnością 8 Mb czyni je idealnym rozwiązaniem dla małych, zasilanych bateryjnie urządzeń ubieralnych, takich jak aparaty słuchowe, smartwatche i inteligentne okulary.
Więcej informacji w witrynie https://eu.mouser.com/manufacturer/fujitsu-semiconductor/.
![Augmented Engineering w sektorze A&D: Przyspiesza wyścig o przewagę technologiczną [RAPORT]](https://elektroonline.pl/wp-content/uploads/elementor/thumbs/AD-rswhafjepyb12hkuhy0bg2bq3l0gvdle5sooktj7l0.jpg "Augmented Engineering w sektorze A&D: Przyspiesza wyścig o przewagę technologiczną [RAPORT]")
