Mouser Electronics, Inc., wiodący w branży dystrybutor wprowadzający nowe produkty do obrotu (New Product Introduction) o najbogatszej ofercie półprzewodników i podzespołów elektronicznych, oferuje teraz tranzystory FET 1200 V z węglika krzemu (SiC) UF4C i UF4SC marki UnitedSiC (obecnie Qorvo®). Ta rodzina elementów czwartej generacji, należąca do szerokiej gamy tranzystorów SiC FET o wysokich parametrach, ma wiodące w branży kluczowe parametry rezystancji w stanie włączenia, dzięki czemu nadaje się do rozwiązań elektroenergetycznych w typowych architekturach magistral 800 V, do zastosowań takich jak pokładowe ładowarki do pojazdów elektrycznych, przemysłowe ładowarki do akumulatorów, zasilacze przemysłowe, falowniki fotowoltaiczne DC/DC i wiele innych.
Tranzystory SiC FET UF4C/SC sprzedawane przez Mouser Electronics oferują projektantom szereg opcji rezystancji w stanie włączenia oraz obudów. Elementy SiC FET 1200 V dostępne są w wersjach o rezystancji RDS(on) w zakresie od 23 mΩ do 70 mΩ i w obudowach z trzema wyprowadzeniami TO-247-3L lub z czterema wyprowadzeniami TO-247-4L. Obudowa TO-247-4L wyposażona jest w bramkę Kelvina, która zapewnia ultraniski ładunek bramki oraz doskonałą charakterystykę wyłączania, dzięki którym projektanci mogą stosować element do przełączania obciążeń indukcyjnych oraz we wszelkich zastosowaniach wymagających standardowego sterowania bramką.
Wszystkimi elementami z rodziny UF4C/SC można bezpiecznie sterować z użyciem standardowych napięć bramki od 0 V do 12 V lub 15 V, dzięki czemu mogą one zastąpić krzemowe tranzystory IGBT, FET i ze superzłączem bez zmiany napięcia sterowania bramką. Inne godne uwagi cechy tranzystorów SiC FET UF4C/SC to wyjątkowy margines zakłóceń progowych przy rzeczywistym napięciu progowym 5 V, doskonałe charakterystyki wyłączania oraz wbudowane zabezpieczenie bramki przed wyładowaniami elektrostatycznymi.
Więcej informacji można uzyskać pod adresem https://eu.mouser.com/new/unitedsic/unitedsic-uf4csc-1200v-gen4-sic-fets/
