onsemi wykorzystuje lata doświadczenia w zakresie innowacyjnych, niezawodnych i wysoce wydajnych półprzewodników mocy nowej generacji, aby skrócić czas opracowywania rozwiązań, jednocześnie przekraczając normy gęstości mocy a także zmniejszając straty mocy.
Farnell ogłasza dostępność najnowszych, wysoce zoptymalizowanych produktów EliteSiC z węglika krzemu (SiC) dla rozwiązań infrastruktury energetycznej od onsemi. Nowe urządzenia w porównaniu z ofertą konkurencji, spełniają wymagania wydajnościowe nowej generacji dzięki zmniejszonym stratom przy przełączaniu w warunkach rzeczywistych.
Coraz szybsze przejście na dekarbonizację powoduje przesunięcie popytu w kierunku instalacji większej ilości systemów infrastruktury energetycznej, obejmujących szybkie ładowarki prądu stałego (DCFC), inwertery solarne i systemy magazynowania energii z akumulatorów (BESS).
Zastosowanie stopni mocy opartych na węgliku krzemu ma kluczowe znaczenie dla zmniejszenia strat mocy, zwiększenia gęstości mocy i zmniejszenia kosztów chłodzenia. Wybór wysoce wytrzymałych urządzeń mocy SiC, budowanych z myślą o niezawodności klasy infrastrukturalnej jest kluczowym elementem projektowania długo działających, wytrzymałych systemów infrastruktury energetycznej. Produkty onsemi mogą skrócić czas projektowania, jednocześnie przekraczając normy gęstości mocy i zmniejszając straty mocy.
Typowe zastosowania urządzeń EliteSiC od onsemi, dostępnych teraz w Farnell, obejmują zasilacze UPS, przetwornice DC/DC, falowniki podwyższające (boost), falowniki słoneczne, stacje ładowania pojazdów elektrycznych i przemysłowe systemy zasilania. Urządzenia te nie zawierają Pb, halogenków i są zgodne z dyrektywą RoHS.
Produkty onsemi dostępne od ręki w Farnell to:
- EliteSiC Power, Single N-Channel — charakteryzujące się następującymi parametrami: typ. RDS(on)=80 m, ultra niski ładunek bramki (typ. QG(tot) = 56 nC), niska efektywna pojemność wyjściowa (typ. Coss = 79 pF), TJ = 175°C i 100% testów lawinowych.
- EliteSiC MOSFET NXH006P120MNF2 — moduł zasilania zawierający półmostek SiC MOSFET 6 m /1200 V i termistor w obudowie F2. Opcje obejmują dostawę z lub bez wstępnie nałożonego materiału termoprzewodzącego (TIM) oraz wtyki lutowane lub wciskane.
Adrian Cotterill, Global Product Segment Lead, Discrete Transistors & WBG w Farnell, powiedział: „Jest to kluczowy dodatek do oferty Farnell, który zapewni, że systemy infrastruktury energetycznej będą tworzone przy użyciu najlepszych komponentów najwyższej klasy, z których słynie firma onsemi. Nowe, wysoce zoptymalizowane produkty SiC spełniają najnowsze wymagania wydajnościowe dla zastosowań końcowych w infrastrukturze energetycznej”.
onsemi napędza przełomowe innowacje, które pomagają tworzyć lepszą przyszłość. Skupiając się na branży motoryzacyjnej i rynkach końcowych przemysłu, firma przyspiesza zmiany w mega trendach, takich jak elektryfikacja czy bezpieczeństwo pojazdów, sieci energii wytwarzanej w sposób zrównoważony, automatyki przemysłowej oraz infrastruktury 5G oraz w chmurze. Dzięki wysoce zróżnicowanemu i innowacyjnemu portfolio produktów onsemi tworzy inteligentne technologie zasilania oraz wykrywania, które są odpowiedzią na najbardziej złożone wyzwania stojące przed światem, prowadząc w ten sposób na ścieżce do stworzenia bezpieczniejszego, czystszego a także inteligentniejszego świata.
Nowe rozwiązania od onsemi w zakresie infrastruktury energetycznej są już dostępne w magazynach: Farnell w regionie EMEA, Newark w Ameryce Północnej oraz element14 w regionie APAC.
