"Dokładnie sprecyzowane warstwy materiałów pozwalają na usprawnienie i kontrolę przepływu elektronów" powiedział Eric Stach, profesor inżynierii materiałowej w Purdue.
Urządzenia elektroniczne zbudowane są często z "heterostruktury", co oznacza, że zawierają określone warstwy różnych materiałów półprzewodnikowych, takich jak krzem i german. Do tej pory jednak naukowcy nie byli w stanie produkować nanoprzewodów za takich warstw warstwy krzemu i germanu. Przejście z jednej warstwy do następnej było zbyt stopniowe dla urządzeń.
Wyniki są prezentowane w postaci raportu znajdującego siew piątek (27.11.2009) w "Science". Artykuł został napisany przez Purdue doktora naukowca Cheng Wen-Yen, Naukowca IBM Frances’ea Ross’a, Jerry’ego Tersoff’a i Mark’a Reuter’a w Thomas J. Watson Research Center w Yorktown Heights, NY i Suneel Kodambaka.
Zważywszy, że konwencjonalne tranzystory są budowane na płaskich, poziomych kawałków krzemu, nanoprzewody krzemu "buduje" się w pionie. Z tego powodu w strukturze pionowej, mają mniejsze wymagania powierzchniowe, który może pozwolić, aby zmieścić więcej tranzystorów w układzie scalonym.
"Ale najpierw musimy nauczyć się produkcji nanoprzewodów zgodnie z rygorystycznymi normami, zanim przemysł będzie mógł wykorzystać wynalazek do masowej produkcji"
Nowe technologie będą potrzebne dla przemysłu w celu utrzymania prawa Moore’a, nieoficjalny przepis stwierdzający, że liczba tranzystorów w układzie scalonym podwaja się w komputerze o około 18 miesięcy, w wyniku szybkiego postępu w technologii i telekomunikacji. Podwojenie liczby urządzeń, które można zmieścić na jednym układzie w komputerze przekłada się na podobny wzrost wydajności. Jednak jest to coraz trudniejsze do dalszego miniaturyzowania urządzeń elektronicznych wykonanych z tradycyjnych półprzewodników na bazie krzemu.
