W ciągu najbliższych lat zostanie wprowadzony do produkcji elektroniczny komponent umożliwiający większe upakowania danych w komputerach i urządzeniach przenośnych. Hewlett-Packard we współpracy z koreańskim producentem elektroniki Hynix Semiconductor rozpocznie produkcję komponentów o nazwie „memrystory” już w 2013 r. Urządzenia przechowujące dane zbudowane z memrystorów będą w stanie przechowywać znacznie więcej danych niż jest to możliwe przy użyciu współczesnych technologii.
Memrystory są nano-switchami o zmiennej rezystancji, posiadają efekt pamięci, tzn. ich rezystancja nie zmienia się nawet po odłączeniu zasilania. Czyni to je podobnymi do tranzystorów, za pomocą których przechowywane są dane w pamięciach typu flash. To co daje im przewagę nad tranzystorami jest rozmiar. W chwili gdy producenci flash eksperymentują z tranzystorami o rozmiarze 20nm, memrystory spokojnie mogą być wykonywane w 3-nm procesie technologicznym.
– Celem jest podwojenie wszystkiego co mamy w pamięciach typu flash. Wiemy, że pobijemy ten standard w prędkości, wydajności, wytrzymałości oraz w gęstości upakowania danych – mówi Stanley Williams z HP, który pracował nad tą technologią przez około 5 lat i można powiedzieć, że memrystory są jego „dzieckiem”.
HP będzie tworzyć memrystory poprzez składanie metalowych nanoprzewodów, nakładając następnie warstwę dwutlenku tytanu, a następnie nakładając drugą warstwę nanoprzewodów prostopadłą do poprzedniej. Tam, gdzie warstwy się przecinają tworzony jest memrystor.
HP spodziewa się pierwszych pamięci memrystorowych o gęstości upakowania danych rzędu 20GB/cm2, co jest wynikiem dwukrotnie lepszym niż ten, jakim mogą się pochwalić współczesne pamięci flash.
technologyreview.com
