Do tworzenia nowego typu tranzystorów nie jest używany krzem ale związek o nazwie indo-arsenek galu. Długo pracowano nad tranzystorami nazywanymi obecnie finFETs aby stały się dobrym zamiennikiem tradycyjnych układów.
W pracach prowadzonych przez Peide Ye, profesora inżynierii elektrycznej i komputerowej, naukowcy Purdue w pierwszej kolejności stworzyli finFETs przy użyciu technologii o nazwie atomowego osadzania warstwy. Ponieważ atomowe osadzanie warstwy jest powszechnie stosowaną metodą w przemyśle, nowy finFET stanowi realne rozwiązanie na graniczne możliwości tradycyjnych tranzystorów krzemowych.
