Mouser Electronics, globalny autoryzowany dystrybutor półprzewodników i komponentów elektronicznych, poinformował o podpisaniu globalnej umowy dystrybucyjnej z Efficient Power Conversion (EPC) – producentem rozwiązań zasilania opartych na tranzystorach azotku galu w trybie enhancement-mode (eGaN®). Portfolio EPC obejmuje układy GaN pracujące w zakresie napięć od 15 V do 350 V.
Tranzystory eGaN FET oraz układy scalone EPC oferują parametry znacznie przewyższające możliwości klasycznych krzemowych tranzystorów mocy MOSFET w zastosowaniach takich jak przetwornice DC-DC, systemy lidarowe, sterowanie silnikami dla elektromobilności, robotyki czy dronów.
Celem współpracy jest zwiększenie dostępności technologii GaN dla inżynierów na całym świecie oraz przyspieszenie wdrażania energooszczędnych układów zasilania.
„Globalna umowa z Mouser stanowi ważny element naszej strategii dystrybucyjnej i pozwoli dotrzeć do większej liczby inżynierów projektujących układy oparte na technologii GaN” – powiedział Nick Cataldo, Senior VP Sales & Marketing w EPC. „Mouser dysponuje imponującym globalnym zasięgiem i cieszymy się ze współpracy z tak dynamiczną firmą”.
Heather McGriff, Vice President of Supplier Management w Mouser Electronics, podkreśliła, że oferta EPC doskonale uzupełnia portfolio dystrybutora i odpowiada na rosnące potrzeby klientów poszukujących nowoczesnych rozwiązań energoelektronicznych.
Nowe tranzystory i układy eGaN dostępne w Mouser
Wśród produktów EPC dostępnych już w ofercie dystrybutora znalazł się tranzystor mocy EPC2302 – element eGaN 100 V o maksymalnej rezystancji RDS(on) 1,8 mΩ, zamknięty w obudowie QFN 3 × 5 mm o niskiej indukcyjności pasożytniczej. Układ przeznaczono do wysokonapięciowych przetwornic DC-DC 40–60 V oraz napędów silników BLDC 48 V.
Konstrukcja z odsłoniętą górną powierzchnią poprawia odprowadzanie ciepła, natomiast boczne wyprowadzenia typu wettable flanks ułatwiają proces lutowania i automatycznej inspekcji optycznej. Bardzo mała pojemność pasożytnicza oraz zerowy reverse recovery pozwalają osiągać wysoką sprawność w wielu topologiach zasilania.
Kolejnym rozwiązaniem jest EPC2304 – tranzystor eGaN zoptymalizowany pod kątem bardzo wysokich częstotliwości przełączania i niskich strat przewodzenia. Układ sprawdzi się m.in. w napędach silników, wzmacniaczach klasy D, systemach bezprzewodowego przesyłu energii oraz przetwornicach PFC.
EPC2304 wykorzystuje termicznie zoptymalizowaną obudowę QFN 3 × 5 mm z odsłoniętą górną powierzchnią i bardzo niską rezystancją termiczną, co przekłada się na niższą temperaturę pracy. Zastosowano również wyprowadzenia wettable flanks upraszczające montaż i kontrolę jakości.
Firma oferuje także układ EPC23102 ePower™ Stage IC, integrujący interfejs logiki wejściowej, układy bootstrap, sterowniki bramek oraz tranzystory wyjściowe eGaN w jednym monolitycznym układzie scalonym wykonanym w autorskiej technologii GaN IC.
Rozwiązanie upraszcza projektowanie stopni mocy wysokiego napięcia i wysokiego prądu, jednocześnie zmniejszając rozmiary urządzenia oraz poprawiając sprawność energetyczną. Układ przeznaczony jest m.in. do falowników napędów silnikowych, wzmacniaczy klasy D oraz przetwornic półmostkowych i pełnomostkowych LLC.
W ofercie znalazł się również tranzystor EPC2305 – element eGaN 150 V oferujący niższe straty przełączania i mniejsze straty sterownika bramki niż nowoczesne tranzystory Si MOSFET. Wyższa sprawność umożliwia zwiększenie gęstości mocy, redukcję rozmiarów elementów pasywnych oraz pracę przy wyższych częstotliwościach przełączania.
Typowe zastosowania EPC2305 obejmują smartfony, notebooki, komputery gamingowe, elektronarzędzia, robotykę domową, elektromobilność oraz systemy fotowoltaiczne.
Więcej informacji o produktach EPC dostępnych w ofercie Mouser można znaleźć na stronie: EPC w Mouser Electronics
