AP2306GN-HF-3 – Wydajny MOSFET o niskich stratach energetycznych w kompaktowej obudowie

AP2306GN-HF-3 to tranzystor MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) produkowany przez firmę Advanced Power Electronics Corp. Jest to komponent często wykorzystywany w aplikacjach związanych z zasilaniem, konwersją mocy i zarządzaniem energią, np. w przetwornicach DC-DC, regulatorach napięcia, czy systemach zasilania komputerów oraz urządzeń elektronicznych. Jest to nowoczesny N-kanałowy tranzystor MOSFET o świetnych parametrach elektrycznych i termicznych, szczególnie zaprojektowany do aplikacji, w których wymagana jest wysoka efektywność energetyczna i szybkie przełączanie. Dzięki niskiemu RDS(on) i możliwości przewodzenia dużego prądu, ten tranzystor jest idealnym wyborem do układów zasilania, przetwornic napięcia oraz innych aplikacji wymagających niezawodności i trwałości.

Kluczowe cechy AP2306GN-HF-3:

1. Typ MOSFET: N-kanałowy MOSFET o niskiej rezystancji w stanie włączenia (RDS(on)), co minimalizuje straty mocy.
2. Obudowa: Dostępny jest w kompaktowej obudowie SOT-23 (Small Outline Transistor), co jest korzystne w aplikacjach, gdzie przestrzeń na płytce PCB jest ograniczona.
3. Napięcie dren-źródło (Vds): 20V - maksymalne napięcie, które może być przykładane pomiędzy drenem a źródłem.
4. Prąd drenowy (Id): Maksymalny prąd, jaki tranzystor może przewodzić, wynosi 5.3A przy temperaturze 25°C.
5. Ładunek bramki (Qg): Niski ładunek bramki pozwala na szybkie przełączanie, co zwiększa efektywność w układach zasilania o wysokiej częstotliwości.
6. Temperatura pracy: Zakres temperatur pracy wynosi od -55°C do +150°C, co umożliwia stosowanie tego MOSFET-a w trudnych warunkach środowiskowych.

Zastosowania:

• Zasilacze do urządzeń
• Systemy zasilania dla mikrokontrolerów
• Układy audio
• Urządzenia mobilne
• Automatyka domowa
• Czujniki i urządzenia pomiarowe
• Systemy oświetleniowe LED