Grafen – atomowej grubości warstwa grafitu ma olbrzymi potencjał do zastosowania przy produkcji elektronicznych urządzeń takich jak radia, komputery, telefony. Dzisiaj znane urządzenia mogą stać się szybsze i mniejsze. Problem leży jedynie w integracji grafenu do z układami elektronicznymi.
W artykule z 1 września z tygodnika 'Nature’ grupa naukowców z UCLA pokazuje jak można obejść niektóre problemy aby móc produkować najszybsze grafenowe tranzystory.
O szybkości urządzenia decyduje prędkość przesyłania i przetwarzania sygnałów. Z dotychczas poznanych właściwości grafenu wiemy, że jest idealnym kandydatem do tworzenia układów elektronicznych pracujących z częstotliwościami radiowymi. Tradycyjne techniki wytwarzania prowadzą często do pogorszenia jakości układów.
Zespół UCLA pod kierownictwem profesora chemii i biochemii Xiangfeng Duan opracował nowy proces produkcji grafenowych tranzystorów wykorzystujący nano-przewody jako bramy typu 'self-aligned’.
Samocentrowane bramy są kluczowym elementem w nowoczesnych tranzystorach, które używane są do wzmacniania i przełączania sygnałów elektronicznych. Bramy używane są do przełączania tranzystorów miedzy różnymi jego stanami a samocentorwane bramy zostały wykonane aby pokonać problemy napotykane przy miniaturyzacji elektroniki.
Postępy w badaniach przeprowadzonych doprowadziły do demonstracji najszybszego grafenowego tranzystora stworzonego do dziś, pracującego z częstotliwością aż 300GHz- wynik porównywalny do najlepszego tranzystora wykonanego z materiałów, o podwyższanej prędkości przemieszczania elektronów takich jak arsenek galu.
Naukowcy sa podekscytowani wynikami badań, dało im to nowe siły w kierunku rozwoju technologii i uzyskania tranzystora działającego jeszcze szybciej.
http://www.nature. … re09405.html
University of California
